摘要：详解服务器内存和显存基础知识妍沁苑
作者 | Hardy
责编 | 阿秃
早期内存通过存储器总线和北桥相连，北桥通过前端总线与CPU通信。从Intel Nehalem起，北桥被集成到CPU内部，内存直接通过存储器总线和CPU相连。
所以，在AMD采用Socket FM1，Intel采用LGA 1156插槽之后的处理器都集成了北桥，独立的北桥已经消失，主板上仅余下南桥。
计算机体系的主要矛盾在于CPU太快了，而磁盘太慢了。所以它俩是不能够直接通信的，需要增加一个过渡层，这就是内存的作用。哈佛结构是一种将程序指令存储和数据存储分开的存储器结构。
内存(Memory)也被称为内存储器，其作用是用于暂时存放CPU中的运算数据，以及与硬盘等外部存储器交换的数据。计算机中所有程序的运行都是在内存中进行的，因此内存的性能对计算机的影响非常大。
1996年底，SDRAM开始在系统中出现，不同于早期的技术，SDRAM的出现是为了与CPU的计时同步化所设计。
SDRAM亦可称为SDR SDRAM（Single Data Rate SDRAM），Single Data Rate为单倍数据传输率，SDR SDRAM的核心、I/O、等效时脉皆相同， SDR SDRAM在1个周期内只能读写1次，若需要同时写入与读取，必须等到先前的指令执行完毕，才能接着存取。
DDR SDRAM为双通道同步动态随机存取内存，是新一代的SDRAM技术。别于SDR（Single Data Rate）单一周期内只能读写1次，DDR的双倍数据传输率指的就是单一周期内可读取或写入2次。在核心频率不变的情况下，传输效率为SDR SDRAM的2倍。
总结：
DDR采用时钟脉冲上升、下降沿各传一次数据，1个时钟信号可以传输2倍于SDRAM的数据，所以又称为双倍速率SDRAM。它的倍增系数就是2。DDR2 SDRAM为双通道两次同步动态随机存取记忆体。DDR2内存Prefetch又再度提升至4bit（DDR的两倍），DDR2的I/O时脉是DDR的2倍。
总结：
DDR2仍然采用时钟脉冲上升、下降时各传一次数据的技术（不是传2次），但是一次预读4bit数据，是DDR一次预读2bit的2倍，因此，它的倍增系数是2X2=4。DDR3SDRAM为双通道三次同步动态随机存取记忆体。DDR3记忆体Prefetch提升至8bit，即每次会存取8 bits为一组的数据。DDR3传输速率介于800～1600 MT/s之间。
此外，DDR3 的规格要求将电压控制在1.5V，较DDR2的1.8V更为省电。DDR3也新增ASR (Automatic Self-Refresh)、SRT(Self-Refresh Temperature)等两种功能，让内存在休眠时也能够随着温度变化去控制对内存颗粒的充电频率，确保系统数据完整性。
总结：
DDR3作为DDR2的升级版，最重要的改变是一次预读8bit，是DDR2的2倍，DDR的4倍，所以，它的倍增系数是2*2*2=8。DDR4 SDRAM提供比DDR3/DDR2更低的供电电压1.2V以及更高的频宽。DDR4 新增了4 个Bank Group 组的设计，各个Bank Group具备独立启动操作读、写等动作特性，Bank Group 组可套用多工的观念来想像，亦可解释为DDR4 在同一时脉工作周期内，至多可以处理4 组数据，效率明显好过于DDR3。